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EPC Automotive Qualified 65 V eGaN FET Enables Higher Resolution for Lidar Systems

EPC Automotive Qualified 65 V eGaN FET Enables Higher Resolution for Lidar Systems

Efficient Power Conversion (EPC) expands AEC Q101 product family with the addition of the EPC2219, 65 V gallium nitride transistor with integrated reverse gate clamp diode optimized for high resolution lidar systems.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces successful AEC Q101 qualification of the 65 V EPC2219 designed for lidar systems in the automotive industry and other harsh environments. 

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氮化鎵的雷霆威力及演變

氮化鎵的雷霆威力及演變

從2010年開始,自矽基氮化鎵(GaN)電晶體商用化後,低壓氮化鎵電晶體推動了很多全新應用的發展。氮化鎵元件具備超快速開關,推動全新市場諸如雷射雷達、波峰追蹤及無線電源市場的出現。這些全新應用進一步實現更強大的供應鏈、低製造成本及元件前所未有的高可靠性。這些優勢使得比較保守的設計工程師在DC/DC轉換器、AC/DC轉換器及車載等各種應用開始對氮化鎵元件進行評估。在本文章系列,我們將討論多種發揮氮化鎵元件優勢的應用,實現最終產品差異化的競爭優勢。首先,我們會探討是甚麼因素加快了氮化鎵元件的普及。

Power Systems Design
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宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2049),應用於負載點(POL)轉換器、雷射雷達(LiDAR)及具低電感的馬達驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2049功率電晶體,應用於負載點(POL)轉換器雷射雷達(LiDAR)波峰追蹤電源D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049電晶體的額定電壓為40 V、最大導通阻抗為5 mΩ及脈衝輸出電流為175 A。

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EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

宜普電源轉換公司(EPC)與工程師分享經過專業製作的6個影片,展示出在最終用戶端的應用,例如無線充電桌面、高性能雷射雷達、48 V–1.8 V DC/DC單級轉換,以及利用氮化鎵電晶體及積體電路實現準確控制的馬達驅動器等應用。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw)製作了6個精簡影片,展示出在最終用戶端採用eGaN® FET及積體電路的應用。這些影片描述氮化鎵技術正在改變我們的生活方式,並挑戰功率系統設計工程師如何在他們新一代的功率系統設計中,發揮高效氮化鎵場效應電晶體及積體電路的優勢。

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宜普電源轉換公司(EPC)宣佈位於美國維吉尼亞州Blacksburg的eGaN FET及 IC應用中心落成啟用並聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈位於美國維吉尼亞州Blacksburg的eGaN FET及 IC應用中心落成啟用並聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師

為了進一步擴大eGaN FET及IC的應用範圍、加大研發力度及幫助客戶使用eGaN®FET及IC並對元件進行評估,宜普公司宣佈Blacksburg應用中心落成啟用及聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈位於美國維吉尼亞州(Virginia)的Blacksburg應用中心落成。該中心進一步支持增強型氮化鎵電晶體及積體電路的研發及應用,從而擴大潛在市場的覆蓋率。除了基於傳統的場效應電晶體及積體電路的功率轉換應用外,氮化鎵技術推動新興應用的出現,包括無線電源傳輸、應用於全自動駕駛車的雷射雷達技術及支援4G和5G通訊標準的 波峰追蹤應用。

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採用eGaN FET設計的波峰追蹤電源支援20 MHz LTE頻寬

採用eGaN FET設計的波峰追蹤電源支援20 MHz LTE頻寬

本篇文章闡述面向使用第四代移動通信技術(4G)LTE頻寬的無線通訊基站基礎設施並採用EPC8004高頻氮化鎵場效應電晶體設計的波峰追蹤電源。基於eGaN® FET並採用四相位拓撲的軟開關降壓轉換器可以準確地跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡信號,提供60 W以上的平均負載功率,而總效率可高達92%。這種設計的可擴展性能可以支援不同的功率級別,工程師只需選擇不同的EPC場效應電晶體設計不同的系統,從而可以滿足不同功率級別的要求。

Bodo’s Power Systems
張遠哲博士及 Michael de Rooij博士
2016年3月
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IEEE Power Electronics Society (PELS) Webinar, “Using Gallium Nitride (GaN) FETs for Envelope Tracking Buck Converters”

On September 3rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.

EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).

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宜普電源轉換公司將在2014年APEC®研討會分享支持高頻諧振轉換器及波峰追蹤供電的氮化鎵(GaN)技術

於2014年IEEE的APEC功率電力電子業界研討會中,宜普電源轉換公司的應用技術專家將分享氮化鎵場效應電晶體技術如何于應用中比矽功率MOSFET器件優勝。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於2014年APEC技術研討會以應用為主題進行三場技術演講,與參與者分享高頻諧振轉換器及高頻、硬開關功率轉換器設計。研討會將於3月16日至20日在德克薩斯州的Fort Worth舉行。

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Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Expands High Frequency eGaN Power Transistor Family Capable of Amplification into the Multiple GHz Range

EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.

EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm2 with 100 VDS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum RDS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.

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GaN — Still Crushing Silicon One Application at a Time

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

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eGaN®FET與矽功率器件比拼第八章:波峰追蹤的應用

作者:宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士
日期:在2012年4月30日刊載於Power Electronics Technology 雜誌

在射頻功率放大器的波峰追蹤不是新技術。但隨著社會對電源產業日益增長的需求如增長手機的電池壽命、提高基站的能效及增加高成本的射頻傳輸器的輸出功率,通過波峰追蹤來提高射頻功率放大器系統的效率已經成為科研的一個重要議題。

我們在這篇文章展示了在大功率輸出的波峰追蹤應用中的降壓轉換器,如何使用eGaN FET實現功率及效率方面可達到的成效。

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