德州儀器公司發佈了一個全新應用於高密度電源轉換器、專門驅動MOSFET及氮化鎵場效應電晶體的低側閘極驅動器(LM5114)。 這個驅動器適用于一系列低侧應用,包括同步整流器及經過功率因數較正的轉換器。加上在2011年推出的業界第一個100V半橋氮化鎵場效應電晶體驅動器(LM5113),這個產品系列提供了完整的隔離DC/DC電源轉換驅動器解決方案,專門驅動應用於電信、網路及資料中心的具大功率輸出特性之氮化鎵場效應電晶體及MOSFET。請瀏覽www.ti.com/gan 以取得詳情、樣片和評估板的資料。

德州儀器推出的國半LM5113 驅動器榮獲美國電子產品雜誌(Electronic Products)之年度最佳產品獎。該著名行業雜誌的讀者皆為電子設計工程師,經過編輯評審過千於2011年發佈的產品,選出在以下各方面表現優勝的產品：創新設計、在技術或應用方面取得重大發展及具成本和性能超卓優勢。

德州儀器推出業界首款針對增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而優化的驅動器。與標準金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)相比，由於具有較低的導通電阻(RDS(ON))、閘極電荷(QG)以及超小的體積,增強型GaN FET可以實現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動這類器件也面臨著新的重大挑戰。國半的LM5113驅動積體電路化解了這些挑戰, 使電源設計人員能夠在各種流行的電源拓撲結構中發揮GaN FET的優勢。

“我們衷心祝賀德州儀器榮獲這個殊榮。LM5113橋式驅動器為設計工程師提供一個確實的plug & play解決方案，加速業界採用eGaN ®FET及其普及化。LM5113釋放了eGaN FET的效能優勢，幫助設計工程師實現電源及系統密度方面的全新性能基準。”宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow 說。

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) eliminates these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.

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Microsemi is working with Efficient Power Conversion (EPC) www.epc-co.com in the development of a complete line of high performance FETS for high reliability space and military applications. A jointly researched paper entitled "Enhancement Mode Gallium Nitride Characteristics Under Long Term Stress" will be presented at the Government Microcircuit Applications and Critical Technology Conference (GOMAC), March 21-24, 2011 in Orlando, Florida. The study covers the reliability testing results and demonstrates the stability of the devices at temperature and under radiation exposure.

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