宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的200 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，它具備超低導通電阻和極小型化等優勢。

EPC公司宣佈推出200 V、25 mΩ、80 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度為85 MeV/(mg/cm²)。與商用eGaN FET和IC系列相同，採用芯片級封裝。 封裝元件將由EPC Space提供。

eGaN^®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能，從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

EPC2012採用符合RoHS (有害物質限制) 條例的無鉛封裝，以增強其高頻開關性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。

EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS元件，RDS(ON)最大值是100mΩ，閘極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN元件明顯更高的性能優勢。EPC2012的脈衝額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在較低閘極電壓時，其性能得以全面增強，而且由於提高了QGD/QGS比率，EPC2012還具有優異的dv/dt抗干擾性能。