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宜普電源轉換公司(EPC)的高性能氮化鎵功率電晶體 進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET並已有現貨供應

氮化鎵(eGaN®)功率電晶體繼續爲電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由於氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。

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宜普電源轉換公司宣佈推出六個新一代功率電晶體及相關的開發板。這些由30 V至200 V的産品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))並可增强輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。

全新氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及相關開發板

宜普産品型號 電壓 最高導通電阻
RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉衝電流峰值
Peak Pulsed
ID (A) (25°C,
脉衝電流導通時間
Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半橋開發板
          標準 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150 閱讀全文

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced that the company has made available on its web site SPICE models for all of its enhancement mode GaN transistors.

EL SEGUNDO, Calif.--(BUSINESS WIRE)—Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced that the company has made available on its web site SPICE models for all of its enhancement mode GaN transistors.

TSPICE, PSPICE, and LTSPICE device models have been developed to help the designer of advanced GaN-based power conversion circuits and systems understand the value of this new power transistor family and reduce their time-to-market with benchmark products. These free downloads are available at:

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