宜普電源轉換公司(EPC)推出200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了額定電壓為 100 V、150 V和200 V的6個GaN電晶體系列，提供更高的性能、更小的解決方案和易於設計的DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及馬達控制器。

全球增强型氮化鎵FET和IC領導者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，採用耐熱增强型QFN封裝，佔位面積僅為3 mm x 5 mm。

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

宜普電源轉換公司（EPC） 與世界先進積體電路股份有限公司（VIS） 攜手合作生產八吋氮化鎵晶圓，透過VIS高品質的製造能力，進一步强化EPC在氮化鎵功率轉換市場的領導地位。

發佈單位：宜普電源轉換公司、世界先進公司

發佈日期：111年12月6日

GaN FETs help Solarnative achieve industry-leading power density for solar microinverters, enabling module frame integration to solve the challenges of solar power installation.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 Solarnative uses GaN devices in its new microinverter to achieve industry-best power density.  The Power Stick is the smallest inverter in the world, with dimensions of 23.9 by 23,2 by 404 millimeters. With an AC output power of 350 W, the volume of 0.19 liters corresponds to a power density of 1.6 kW per liter. By comparison, the IQ 7A microinverter from a market leading supplier delivers 349 watts with a volume of 1.12 liters, corresponding to 0.31 kW per liter – not even one-fifth of the Solarnative device. Despite the extreme size reduction, the European efficiencies are quite comparable, at 96.0 percent for the Power Stick and 96.5 percent for the IQ 7A.

BRC Solar公司的新型M500/14功率優化器採用EPC公司的100 V 氮化鎵元件（EPC2218)，它的佔板面積小，可實現更高的頻率和額定功率。

BRC Solar公司憑藉其功率優化器徹底改變了光伏市場的發展、提高了光伏電站和系統的發電量和性能。其新一代M500/14 功率優化器採用了宜普電源轉換公司的EPC2218（100 V的場效應電晶體），實現了更高的功率密度，因為GaN FET的低功耗和小尺寸使關鍵負載電路更加緊凑。而GaN FET的小寄生電容和電感可實現沒有雜訊的開關和良好的EMI特性。GaN FET的另一個優點是沒有反向恢復損耗。

The year 2021 was a transitional year in which the world decided to open its doors to GaN. In this interview with Power Electronics News during CES week, GaN industry experts confirmed that GaN is now proving its superiority over silicon.

Power Electronics News
January, 2022
Read article

The EPC2050 offers power systems designers a 350 V, 65 mΩ, 26 A power transistor in an extremely small chip-scale package.  These new devices are ideal for applications such as multi-level converters, EV charging, solar power inverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2018 — Efficient Power Conversion announces the EPC2050, a 350 V GaN transistor with a maximum R_DS(on) of 65 mΩ and a 26 A pulsed output current. Applications include EV charging, solar power inverters, motor drives, and multi-level converter configurations, such as a 3-level, 400 V input to 48 V output LLC converter for telecom or server power supplies.

200 V、25 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍，可應用於無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出面向多種應用的EPC2046功率電晶體，包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導通電阻（R_DS(on)）為25 mΩ、脈衝輸出電流為55 A。

EPC公司宣佈推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET），對比前一代的產品，這些電晶體的尺寸減半，而且性能顯著提升。

全球增强型氮化鎵電晶體領袖廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體（eGaN FET）及積體電路的宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出全新的EPC2045 （7 mΩ、100 V）及EPC2047（10 mΩ、200 V）電晶體，在提升產品性能的同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點（POL）轉換器、USB-C及 雷射雷達（LiDAR）等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無綫充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。