基於氮化鎵元件的EPC9194逆变器参考設計顯着提高了馬達控制系統的效率、扭矩而同时使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆变器非常微型，可整合到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。

宜普電源轉換公司宣佈推出三相BLDC馬達控制逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓範圍為14V~60V，可提供高達60 A_pk(40 A_RMS)的輸出電流。此電壓範圍和功率使該解決方案非常適合用於各種三相BLDC馬達控制器，包括電動自行車、電動滑板車、無人機、機器人和直流伺服馬達。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵 (GaN) FET 和 IC產品的領導者，在紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2023展會上分享了關於氮化鎵技術的發展和其應用的演示。 我們與該公司的聯合創始人暨首席執行長 Alex Lidow 就電力電子行業和氮化鎵技術對行業的影響進行了深度交流。

Electronic Design
2023年5月
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EPC的GaN專家將在其APEC展位展示各種應用所採用的最新一代GaN FET 和 IC。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵FET和IC領域的全球領導者，將於3月19日至23日在奧蘭多舉行的IEEE APEC 2023會議上發表多項技術演講，詳情請參閱下方時間表。此外，我們還會在奧蘭治縣會議中心的732號展位展示最新一代的 eGaN^®FET和IC，其應用範圍包括高功率密度計算、電動汽車、機器人、太陽能、電池充電等。歡迎蒞臨參觀“GaN之牆”,我們提供市場上最廣泛的氮化鎵功率半導體產品組合，可現成交付。

Aiming at laser time-of-flight lidar, Efficient Power Conversion (EPC) has introduced an 80V 15A pulse laser driver IC.

Electronics Weekly
January, 2023
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宜普電源轉換公司(EPC)推出新型氮化鎵積體電路EPC21701，這是一款 80 V雷射驅動器IC，可提供15 A脉衝電流，適用於飛行時間(ToF)光達應用，包括真空吸塵器、機器人、3D安全攝像頭和 3D感測器。

EPC 宣佈推出EPC21701，這是一款單晶片雷射驅動器，包含80 V、40 A FET、閘極驅動器和3.3邏輯電平輸入，用於飛行時間光達系統，包括用於機器人、監控系統和真空吸塵器。 它專為用於手勢識別、飛行時間 (ToF)測量、機器人視覺或工業安全的光達系統量身定制。

宜普電源轉換公司（EPC） 與世界先進積體電路股份有限公司（VIS） 攜手合作生產八吋氮化鎵晶圓，透過VIS高品質的製造能力，進一步强化EPC在氮化鎵功率轉換市場的領導地位。

發佈單位：宜普電源轉換公司、世界先進公司

發佈日期：111年12月6日

EPC9176是一款基於氮化鎵元件的逆變器參考設計，增强了馬達控制系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9176。這是一款三相BLDC馬達控制逆變器，採用EPC23102 ePower™ 功率級GaN IC，內含閘極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 A_pk(20 A_RMS)的電流。這種電壓範圍和功率使該解決方案非常適合用於各種36V~80 V輸入的三相BLDC馬達控制應用，包括電動自行車、電動滑板車、電動工具、無人機、機器人、直流伺服、醫療機器人和工廠自動化。

New Motor Drive Center of Excellence (CoE) design center in Turin, Italy, to help customers exploit the power of GaN for growing motor drive applications

EL SEGUNDO, Calif.— September, 2022 —   EPC has opened a new design application center near Turin, Italy, to focus on growing motor drive applications based on GaN technology in the e-mobility, robotics, drones, and industrial automation markets.  The specialist team will support customers in accelerating their design cycles and define future Integrated Circuits for power management with state-of-the art equipment to test applications from 400 W to 10’s of kW.

宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306，為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案，包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN^®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者，新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306，用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器，以及 D 類音頻放大器。

基於氮化鎵元件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統，而且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把EMI減到最小、實現最高的功率密度和最輕的重量。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9173，它是一款三相無刷直流馬達驅動逆變器，採用具備嵌入式閘極驅動器功能的EPC23101 eGaN^®積體電路和一個3.3 mΩ 導通電阻的浮動功率氮化鎵場效應電晶體。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電流可高達50 Apk（35 A_RMS）。這種電壓範圍和功率水平使該解決方案成為各種馬達控制應用的理想元件，包括電動自行車、滑板車、城市汽車、無人機和機器人。

宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2071）,爲設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和集成電路，最新推出100 V、典型值爲1.7 mΩ的EPC2071氮化鎵場效應電晶體，爲客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出通過車規認證的電晶體和積體電路最新成員，面向飛行時間（ToF）光達應用，讓客戶實現具有更高的性能和更小的解決方案，用於機器人、無人機、3D 感測器和自動駕駛車輛等應用。

EPC公司宣佈推出 EPC2221，這是一款共源雙路氮化鎵場效應電晶體，額定電壓爲100 V、58 mΩ 和 20 A脈衝電流，可用於機器人、監控系統、無人機、自動駕駛車輛和吸塵器的光達系統。

Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments with a device that has the lowest on-resistance of any rad hard transistor currently available on the market.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces the introduction of the EPC7019 radiation-hardened eGaN FET. The EPC7019, a 40 V, 1.5 mΩ, 530 A_Pulsed, rad-hard eGaN FET in a small 13.9 mm² footprint. The EPC7019 has a total dose rating greater than 1 Mrad and SEE immunity for LET of 85 MeV/(mg/cm²). These devices are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family.  Packaged versions will be available from EPC Space.

The EPC9167 GaN-based inverter reference design enhances motor system performance, range, precision, torque, all while lowering overall system cost. The extremely small size of this inverter allows integration into the motor housing resulting in the lowest EMI, highest density, and lowest weight.

Robotics Tomorrow
March, 2022
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EPC公司推出了100 V、65 A 集成電路晶片組，專爲48 V DC/DC轉換而設計，用於高密度計算應用，以及用於電動汽車、機器人和無人機的 48 V BLDC馬達控制器。EPC23101 eGaN IC配合EPC2302 eGaN FET成爲ePower晶片組，其最大耐受電壓爲 100 V，提供高達65 A的負載電流，開關速度大於1 MHz。

Bodo’s Power Systems
2022 年 2 月
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EPC公司爲電源系統設計工程師提供全新的100 V、23 mΩ 功率電晶體（EPC2070），它採用微型芯片級封裝並提供34 Ａ脉衝電流，非常適合 60 W、48 V 電源轉換器、光達和 LED 照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的氮化鎵電晶體（EPC2070），具有23 mΩ 的最大導通阻抗和34 A脉衝輸出電流，可在細小的1.1 mm²佔板面積實現高效功率轉換。

The EPC9145 GaN-based inverter enhances the performance of the motor for range, precision, torque, and, as a bonus, eliminates the electrolytic capacitors for lower overall system cost and higher reliability. The extremely small size allows integration into the motor housing for the lowest EMI, highest density, and lowest weight.

EL SEGUNDO, Calif.— November, 2021 — EPC announces the availability of the EPC9145, a 1 kW, 3-phase BLDC motor drive inverter using the EPC2206 eGaN^® FET

GaN devices and applications, such as lidar, DC-DC conversion, motor drive, and low-cost satellites using gallium nitride FETs and ICs, form the focus of this book, GaN Power Devices and Applications.

EL SEGUNDO, Calif. — October 2021 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs, announces the publication of a valuable learning resource for professional engineers, systems designers, and electrical engineering students seeking the latest information on gallium nitride technology and applications. 

這些新一代氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET) 滿足了目前電動出行（eMobility）、交付和物流機器人，以及無人機市場所需的緊凑型 BLDC 電機驅動器和具成本效益、高解析度的飛行時間（ToF）的新需求。

宜普電源轉換公司（EPC）是增强型矽基氮化鎵 (eGaN) 功率電晶體和積體電路的全球領導者。新推的EPC2065 和 EPC2054具備更高的性能和更低的成本等優勢。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈擴大氮化鎵（GaN）積體電路（IC）系列，實現性能更高、更小巧且採用飛行時間（ToF）技術的雷射雷達應用，包括機器人、無人機、3D感測器，遊戲和自動駕駛汽車等應用。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出雷射驅動器IC（EPC21603），在單個晶片上集成了40 V、10 A 場效應電晶體、閘極驅動器和LVDS邏輯電平輸入，面向飛行時間（ToF）雷射雷達系統，用於機器人、無人機、擴增實境和遊戲等應用。