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Sharge Selects GaN FETs from EPC for High-power USB PD Charger

Sharge Selects GaN FETs from EPC for High-power USB PD Charger

EL SEGUNDO, Calif.—  March 2023 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, has teamed up with SHARGE Technology (SHARGE) to design a 67 W USB PD charger with a power display screen. The Retro 67 fast charger uses EPC’s 100 V GaN FET, EPC2218, which can deliver 231 A pulsed current in a tiny footprint of 3.5 mm x 1.95 mm offering designers a significantly smaller, more efficient device than silicon MOSFET for USB PD fast chargers.

EPC2218 provides SHARGE’s All-GaN fast charger with higher efficiency, state-of-the-art power density and lower system cost.

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EPC新推200 V、10 mΩ、採用QFN封裝的GaN FET, 實現高效靈活設計

EPC新推200 V、10 mΩ、採用QFN封裝的GaN FET, 實現高效靈活設計

宜普電源轉換公司(EPC)推出200 V、10 mΩ的EPC2307,完善了額定電壓為 100 V、150 V和200 V的6個GaN電晶體系列,提供更高的性能、更小的解決方案和易於設計的DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器,以及馬達控制器。

全球增强型氮化鎵FET和IC領導者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307,採用耐熱增强型QFN封裝,佔位面積僅為3 mm x 5 mm。

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立錡科技與宜普電源轉換携手推出小型化、140 W快充解决方案

立錡科技與宜普電源轉換携手推出小型化、140 W快充解决方案

宜普電源轉換公司(EPC)和立錡科技(Richtek)携手推出新型快充參考設計,使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204,可實現超過98%的效率。

宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計,可將12 V~24 V的輸入電壓轉換爲5 V~20 V的穩壓輸出電壓,並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流。與高功率密度應用的傳統解決方案相比,新型RT6190控制器與EPC的超高效氮化鎵場效應電晶體EPC2204相結合,使得解決方案尺寸可縮小20%以上,而且在20 V和12 V輸出電壓下,可實現超過98%的效率。在不需使用散熱器和5 A連續電流下,20 V轉5 V的最大升溫低於攝氏15度,而12 V轉20 V的最高升溫則低於·攝氏55度。

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Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC

Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

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EPC 新推 350 V的氮化鎵功率電晶體,比同類矽元件小 20 倍及成本更低

EPC 新推 350 V的氮化鎵功率電晶體,比同類矽元件小 20 倍及成本更低

氮化鎵功率電晶體EPC2050專爲功率系統設計人員而設計,在極小的晶片級封裝中實現 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流,是多電平轉換器、電動汽車充電、太陽能逆變器、光達和 LED 照明的理想元件。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出 EPC2050,這是一款 350 V GaN 電晶體,最大 RDS(on) 為 80 mΩ,脉衝輸出電流爲 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比,基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍。

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