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為什麼於超薄筆記型電腦使用GaN元件 + 數位控制?

48 V設計的革命:為什麼於超薄筆記型電腦使用GaN元件 + 數位控制?

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參加是次網路研討會以瞭解基於氮化鎵元件並配以數位控制的解決方案,如何在高密度計算應用中,提高效率、縮小尺寸和降低系統成本,例如超薄筆記型電腦和高端遊戲等系統。

在是次網路研討會,我們將展示:

  • 如何充分利用氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的優勢(例如小尺寸和低損耗)來提高超薄型DC/DC轉換器的性能。
  • 結合eGaN FET優勢和數位控制的解決方案,可以滿足超薄筆記型電腦和高端遊戲系統在小尺寸內具備高功率的苛刻要求。
  • 備有多種可選拓撲,從而實現更纖薄的解決方案,包括同步降壓和多級功率轉換設計。

特別嘉賓小組成員:Microchip公司的Andreas Reiter在德國慕尼克的應用科學大學主修物理學。從1996年,Andy專注於熱力學系統建模和相關的硬體、軟體發展,之後於2006年加入功率轉換行業,專注於開發開關模式電源的全數位和半數字控制級。Andy於2010年加入Microchip公司,目前擔任數位電源應用的應用工程師。他擁有控制演算法、DSP內核和IC周邊架構的專利。

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Alex Lidow

Alex Lidow現為宜普電源轉換公司(EPC)的首席執行官及共同創辦人。在創辦宜普電源轉換公司之前,Lidow博士是國際整流器公司(NYSE:IRF)的首席執行官。他是HEXFET功率MOSFET的共同發明者,除了擁有多項與功率半導體技術相關的專利權外,Lidow博士發表了許多與這些技術相關的著作,並且與另外三位作者共同著作《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》教科書。該教科書出版了第三版,由John Wiley & Sons出版。Lidow博士獲得美國加利福尼亞理工學院應用物理理學學士學位及斯坦福大學應用物理博士學位元元。

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