How to GaN Webinar Series

設計技巧網路研討會

簡單的設計技巧,可最大限度地提高您的氮化鎵設計的性能

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  • 充分發揮GaN開關速度的最佳佈局技術
  • 基於GaN元件的設計採用簡單並且不昂貴的散熱技術,從而實現更高的功率
  • 為什麼具有快速開關速度的eGaN® FET的電磁干擾比MOSFET元件更低?

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Alex Lidow

Alex Lidow現為宜普電源轉換公司(EPC)的首席執行官及共同創辦人。在創辦宜普電源轉換公司之前,Lidow博士是國際整流器公司(NYSE:IRF)的首席執行官。他是HEXFET®功率MOSFET的共同發明者,除了擁有多項與功率半導體技術相關的專利權外,Lidow博士發表了許多與這些技術相關的著作,並且與另外三位作者共同著作《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》教科書。該教科書出版了第三版,由John Wiley & Sons出版。Lidow博士獲得美國加利福尼亞理工學院應用物理理學學士學位及斯坦福大學應用物理博士學位元元。

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