48V Automotive Demos

48 V汽車功率研討會

48V Automotive

通過AEC認證的氮化鎵元件

產品型號 配置 VDS Max
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
典型值
(nC)
QGS
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
最大脈衝峰值電流 ID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半橋式開發板
EPC2216 GaN FET
EPC2216 單路 15 26 0.87 0.21 0.13 0.53 28 BGA 0.85 x 1.2 立即購買
EPC2206 GaN FET
EPC2206 單路 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 立即購買
EPC2202 GaN FET
EPC2202 單路 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 立即購買
EPC2214 GaN FET
EPC2214 單路 80 20 1.8 0.5 0.3 8 47 BGA 1.35 x 1.35 立即購買
EPC2203 GaN FET
EPC2203 單路 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 立即購買
EPC2212 GaN FET
EPC2212 單路 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 立即購買

氮化鎵元件的可靠性

在前十份報告 [1-10]中發佈的、不斷增長的知識基礎上,第十一階段產品可靠性測試報告進一步描述幾個關鍵的全新題目。從2010年3月[11]量產以來,氮化鎵(GaN)功率元件建立及累積了卓越的現場可靠性測試記錄。本文討論如何實現這個良好記錄的策略,是在各種測試條件下,採用失效性測試元件(test-to-fail)的方法,反復對元件進行應力測試,從而找出元件的失效原因,並且為業界構建更堅固的產品。

宜普電源轉換公司 的Alejandro Pozo博士、Shengke Zhang博士、Ricardo Garcia、John Glaser博士及Robert Strittmatter博士

第十一階段產品可靠性測試報告

Phase 11 reliability