Lidar Demos

雷射雷達/ 飛行時間（ToF）研討會

Lidar Time of Flight

Lidar參考設計

產品型號 描述 VBUS
最大值 		VINPUT
最大值 		TPin
最小值 		Max Pulse (A) 氮化鎵器件型號 原理圖 Gerber 物料清單
（BOM）
EPC9144 大脈衝電流的鐳射二極體驅動器的演示電路板 12 5 1 ns 28 EPC2216 立即購買
EPC9126 大脈衝電流的鐳射二極體驅動器的演示電路板 80 5 6 ns 75 EPC2212 立即購買
EPC9126HC 大脈衝電流的鐳射二極體驅動器的演示電路板 80 5 6 ns 150 EPC2001C 立即購買
供應商 器件型號 描述 脈衝最大值 脈衝寬度 特色eGaN產品 供應商的連結
德州儀器公司LMG1020EVM-006面向雷射雷達的評估模組401 ns - 2 nsEPC2019LMG1020EVM-006
德州儀器公司TIDA-01573面向雷射雷達應用的納秒雷射驅動器參考設計601 nsEPC2019TIDA-01573

面向lidar設計的推薦元件

產品型號 配置 VDS RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)最大值 		QG
(nC)
典型值 		QGS
(nC)
典型值 		QGD
(nC)
典型值 		QOSS
(nC)
典型值 		最大脈衝峰值電流 ID(A)
(25°C、Tpulse = 300µs) 		封装
(mm) 		半橋式開發板
EPC2216 單路 15 26 0.87 0.21 0.13 0.53 28 BGA 0.85 x 1.2 N/A
EPC2040 單路 15 30 0.745 0.23 0.14 0.42 28 BGA 0.85 x 1.2 N/A
EPC2015C 單路 40 4 8.7 2.7 1.2 19 235 LGA 4.1 x 1.6 EPC9201
EPC2014C 單路 40 16 2 0.70 0.30 4 60 LGA 1.7 x 1.1 EPC9005C
EPC8004 單路 40 110 0.37 0.120 0.047 0.63 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9066
EPC2035 單路 60 45 0.88 0.3 0.2 3 24 BGA 0.9 x 0.9 EPC9049
EPC8009 單路 65 130 0.37 0.120 0.055 0.94 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9067
EPC2202 單路(AEC-Q101) 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2214 單路 (AEC-Q101) 80 20 1.8 0.5 0.3 8 47 BGA 1.35 x 1.35 N/A
EPC2039 單路 80 25 2.4 0.76 0.42 7.6 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2203 單路(AEC-Q101) 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 N/A
EPC2053 單路 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093
EPC2045 單路 100 7 5.2 1.7 1.1 21 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078
EPC2001C 單路 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9002C
EPC2212 單路(AEC-Q101) 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2052 單路 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092
EPC2016C 單路 100 16 3.4 1.1 0.55 16 75 LGA 2.1 x 1.6 EPC9010C
EPC2051 單路 100 25 1.8 0.6 0.3 7.2 37 BGA 1.3 x 0.85 EPC9091
EPC2007C 單路 100 30 1.6 0.6 0.3 8.3 40 LGA 1.7 x 1.1 EPC9006C
EPC2036 單路 100 65 0.7 0.17 0.14 3.9 18 BGA 0.9 x 0.9 EPC9050
EPC8010 單路 100 160 0.36 0.130 0.060 2.2 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9068
EPC2037 單路 100 550 0.115 0.032 0.025 0.6 2.4 BGA 0.9 x 0.9 EPC9051
EPC2038 單路 100 3300 0.044 0.020 0.004 0.134 0.5 BGA 0.9 x 0.9 EPC9507

氮化鎵元件的可靠性

在前十份報告 [1-10]中發佈的、不斷增長的知識基礎上，第十一階段產品可靠性測試報告進一步描述幾個關鍵的全新題目。從2010年3月[11]量產以來，氮化鎵（GaN）功率元件建立及累積了卓越的現場可靠性測試記錄。本文討論如何實現這個良好記錄的策略，是在各種測試條件下，採用失效性測試元件（test-to-fail）的方法，反復對元件進行應力測試，從而找出元件的失效原因，並且為業界構建更堅固的產品。

宜普電源轉換公司 的Alejandro Pozo博士、Shengke Zhang博士、Ricardo Garcia、John Glaser博士及Robert Strittmatter博士

第十一階段產品可靠性測試報告

Phase 11 reliability
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