EPC2050: 350V、26A 增强型GaN功率電晶體

VDS, 350 V
RDS(on), 80 mΩ
ID, 6.3 A
脉衝 ID, 26 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2050 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.95 mm x 1.95 mm

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 隔離式DC/DC轉換器
  • 無刷DC馬達控制器
  • 面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流
  • Multi-level AC-DC Power Supplies
  • (H)EV Charging
  • Solar Power Inverters
  • Wireless Power Class-E Amplifiers
  • LED Lighting
  • Medical Imaging

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
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