EPC2100:增强型幷採用半橋拓撲的氮化鎵功率電晶體

VDS, 30 V
RDS(on),
8.2 mΩ (Q1, 控制 FET),
2.1 mΩ (Q2, 同步 FET)
ID, 10 A (Q1) 及 40 A (Q2)
脉衝 ID,100 A (Q1) 及 400 A (Q2)
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2100 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

Recipient of Electronic Products
"Product of the Year" Award

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 負載點(POL)轉換器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗、更低寄生電感及更低驅動功率
  • 效率更高 – 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 佔板面積更小 - 實現更高功率密度
產品狀況:可供購買
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