超高頻氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）

快速開關正在加速

使得功率及射頻電晶體的分界綫變得模糊

功率系統及射頻設計工程師現在可以利用高性能幷於低GHz頻率範圍開關的氮化鎵（GaN）功率電晶體實現矽功率器件所不能推動的創新設計。

這些器件爲功率電晶體的應用開拓全新領域，由於其開關轉換速度在亞納秒範圍之內，因此器件可適用於在10 MHz以上頻率工作的硬開關應用。器件被設計爲可在10 MHz以上頻率工作，由於它們在低GHz頻率範圍也具備非常好的小信號射頻性能幷具高增益的優勢，因此它們是射頻應用的理想器件。

受惠於緊凑型、低功率及高頻EPC8000氮化鎵電晶體系列的應用範例包括在數MHz頻率範圍工作的硬開關功率轉換器、射頻功率放大器的波峰追蹤應用及替移動設備充電的高度諧振無綫電源傳送系統等應用。