EPC9039開發板

EPC9039: 採用增强型單片式半橋氮化鎵器
件的80 V 開發板

Greater than 97% System Efficiency at 20 A

EPC9039 開發板的最高器件電壓爲80 V、最大輸出電流爲17 A,採用半橋拓撲幷含板載栅極驅動器及特色産品增强型氮化鎵集成電路 - EPC2103 eGaNIC

該開發板旨在於一塊單板上包含所有重要元件以易於連接至任何現有的轉換器,從而簡化對 EPC2103 eGaNIC進行評估的過程。

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EPC9039 Efficiency Chart
典型效率: VIN=42 VOUT=12 V
EPC9039 Parameters Table
* Maximum input voltage depends on inductive loading.
** Maximum current depends on die temperature – actual maximum current will be subject to switching frequency, bus voltage and thermal cooling.
Symmetrical eGaNIC intended for 50% duty cycle or low step-down ratio applications.
# 受限于需要“更新”高侧自举电源电压的时间