EPC9041: 採用增强型單片式半橋氮化鎵器 件的80 V 開發板
EPC9041 開發板的最高器件電壓爲80 V、最大輸出電流爲20 A，採用半橋拓撲幷含板載栅極驅動器及特色産品增强型氮化鎵集成電路 - EPC2105 eGaNIC。 該開發板旨在於一塊單板上包含所有重要元件以易於連接至任何現有的轉換器，從而簡化對 EPC2105 eGaNIC進行評估的過程。
典型效率: 48 VIN – 1.2 VOUT, L=4.7 µH
典型效率: 48 VIN – 1.2 VOUT, L=4.7 µH
* 假定感應式負載、最大電流要看晶片的溫度而决定，實際的最大電流會受到開關頻率、Bus電壓及散熱等各方面影響。eGaNIC集成電路面向具高壓降比應用。