EPC9098：170 V、17 A半橋開發板
EPC9098半橋開發板的最高電壓為170 V，最大輸出電流為17 A，採用板載閘極驅動器及增強型氮化鎵（eGaN®）場效應電晶體（EPC2059）。
The EPC9098 development board is 2” x 2” and contains two EPC2059 eGaN FETs in a half bridge configuration with the Texas Instruments LMG1210 gate driver.
為了簡化對EPC2059GaN FET進行評估的過程，所有關鍵元件都放置在一塊板上，從而易於與任何現有的轉換器連接。 關於“如何將EPC開發板構建成原型”的影片，請點擊這裡。