EPC90123：100 V、25 A半橋開發板
EPC90123半橋開發板的最高電壓為100 V，最大輸出電流為25 A，採用板載閘極驅動器及增強型氮化鎵（eGaN®）場效應電晶體（EPC2218）。
The EPC90123 development board measures 2” x 2” and contains two EPC2218 eGaN FETs and one EPC2038 eGaN FET in a half bridge configuration using the uPI Semiconductor uP1966E gate driver.
為了簡化對EPC2218GaN FET進行評估的過程，所有關鍵元件都放置在一塊板上，從而易於與任何現有的轉換器連接。 關於“如何將EPC開發板構建成原型”的影片，請點擊這裡。