EPC9099:開發板

EPC9099:200 V、15 A半橋開發板

EPC9099開發板

EPC9099半橋開發板的最高電壓為200 V,最大輸出電流為15 A,採用板載閘極驅動器及增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體(EPC2215)。

EPC9099是2英寸x 2英寸的開發板,內含兩個採用半橋配置的氮化鎵場效應電晶體,(EPC2215),並採用德州儀器公司的閘極驅動器(LMG1210)。

為了簡化對EPC2215GaN FET進行評估的過程,所有關鍵元件都放置在一塊板上,從而易於與任何現有的轉換器連接。 關於“如何將EPC開發板構建成原型”的影片,請點擊這裡

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EPC9099 Parameters Table
(1)最大輸入電壓取決於電感負載。對於EPC2215,最大開關節點振鈴必須保持在200 V以下。
(2) 最大電流取決於晶片溫度-實際最大電流受開關頻率、匯流排電壓和散熱影響。
(3)受“重置”高端自舉電源電壓所需時間的限制。