在48 V - 1.8 V DC/DC轉換採用GaN FET 與MOSFET的比較

EPC公司最新一代製程再一次擊敗矽基MOSFET功率元件,實現更高性能的元件而同時縮小元件的尺寸及降低成本。本影片展示出100 V 的GaN FET與等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、小很多的佔板面積、功耗低30%及提高功率密度達3倍。