https://epc-co.com:443/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/ctl/rss/mid/1653RSS documenthttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3383/epc%e6%8e%a8%e5%87%ba%e5%85%a9%e6%ac%be%e5%85%a8%e6%96%b0%e4%b8%89%e7%9b%b8%e9%80%86%e8%ae%8a%e5%99%a8%e8%a9%95%e4%bc%b0%e5%b9%b3%e5%8f%b0%ef%bc%8c%e6%93%b4%e5%b1%95100-v%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%8e%b5%e9%a6%ac%e9%81%94%e9%a9%85%e5%8b%95%e7%94%a2%e5%93%81%e7%b5%84%e5%90%88 全新評估板協助工程師加速開發適用於機器人、工業自動化、無人機及智慧運動系統的小型化、高效率馬達驅動器。 美國加州埃爾塞貢多， 2026年10月27日 – 宜普電源轉換公司（EPC） 作為全球領先的增強型氮化鎵（GaN）功率解決方案供應商，今日宣布推出 EPC91124 和 EPC91125 兩款全新的 100 V ...]]>Tue, 27 Oct 2026 07:00:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3383/epc%e6%8e%a8%e5%87%ba%e5%85%a9%e6%ac%be%e5%85%a8%e6%96%b0%e4%b8%89%e7%9b%b8%e9%80%86%e8%ae%8a%e5%99%a8%e8%a9%95%e4%bc%b0%e5%b9%b3%e5%8f%b0%ef%bc%8c%e6%93%b4%e5%b1%95100-v%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%8e%b5%e9%a6%ac%e9%81%94%e9%a9%85%e5%8b%95%e7%94%a2%e5%93%81%e7%b5%84%e5%90%88https://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3380/epc-%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%8e%b5%e5%a0%b4%e6%95%88%e6%87%89%e9%9b%bb%e6%99%b6%e9%ab%94%e5%8a%a9%e5%8a%9b%e5%af%a6%e7%8f%be-4-kw-%e9%ab%98%e6%95%88%e7%8e%87%e5%8d%87%e9%99%8d%e5%a3%93%e8%bd%89%e6%8f%9b%e5%99%a8%e5%8f%83%e8%80%83%e8%a8%ad%e8%a8%88 EPC2361 eGaN® 場效應電晶體在輸入電壓為 36 V 至 65 V、輸出電壓為 48 V 的平台中實現大電流、低損耗開關性能。 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多市 – 2026年10月20日 – 增強型氮化鎵 (eGaN®) 功率元件的領導者 宜普電源轉換公司（EPC） 今日宣布，Analog Devices, ...]]>Tue, 20 Oct 2026 07:00:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3380/epc-%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%8e%b5%e5%a0%b4%e6%95%88%e6%87%89%e9%9b%bb%e6%99%b6%e9%ab%94%e5%8a%a9%e5%8a%9b%e5%af%a6%e7%8f%be-4-kw-%e9%ab%98%e6%95%88%e7%8e%87%e5%8d%87%e9%99%8d%e5%a3%93%e8%bd%89%e6%8f%9b%e5%99%a8%e5%8f%83%e8%80%83%e8%a8%ad%e8%a8%88https://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3381/high-density-800-v-to-50-v-12-v-and-6-v-conversion Michael De Rooij of EPC presents low-voltage GaN architectures for converting 800 V to 50 V, 12 V, and 6 V in server power systems. The talk highlights an input-series, output-parallel (ISOP) ...]]>Mon, 19 Oct 2026 22:48:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3381/high-density-800-v-to-50-v-12-v-and-6-v-conversionhttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3379/a-new-100-v-gan-transistor-for-artificial-intelligence-industrial-and-motor-drive-applications Alejandro Pozo, Director of Applications Engineering at Efficient Power Conversion Artificial intelligence (AI) computing, robotics, autonomous machines, and industrial automation are driving ...]]>Mon, 19 Oct 2026 07:00:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3379/a-new-100-v-gan-transistor-for-artificial-intelligence-industrial-and-motor-drive-applicationshttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3376/%e9%9d%a2%e5%90%91%e4%b8%8b%e4%b8%80%e4%bb%a3%e9%9b%bb%e5%8a%9b%e9%9b%bb%e5%ad%90%e7%9a%84gan%e6%b8%ac%e8%a9%a6 氮化鎵（GaN）功率元件 正迅速從一種新興技術轉變為實現高效率電源轉換的關鍵元件。隨著AI基礎設施、資料中心、機器人和電氣化等應用對更高效率、更高功率密度和更快開關速度的需求不斷提升，如何測試 GaN元件 正變得越來越重要。 為了瞭解半導體測試如何隨著GaN技術的發展而變化，Accotest全球市場總監 Huipeng Liu接受了採訪 ...]]>Tue, 13 Oct 2026 03:13:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3376/%e9%9d%a2%e5%90%91%e4%b8%8b%e4%b8%80%e4%bb%a3%e9%9b%bb%e5%8a%9b%e9%9b%bb%e5%ad%90%e7%9a%84gan%e6%b8%ac%e8%a9%a6https://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3370/epc-to-showcase-next-generation-gan-solutions-for-ai-robotics-space-and-autonomous-machines-at-electronica-2026 Visit EPC at Hall C6, Booth 221, November 10–13 in Munich, to explore its latest GaN solutions for emerging applications EL SEGUNDO, Calif. – October 1, 2026 – Efficient Power Conversion ...]]>Thu, 01 Oct 2026 07:00:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3370/epc-to-showcase-next-generation-gan-solutions-for-ai-robotics-space-and-autonomous-machines-at-electronica-2026https://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3372/%e5%be%9e800-v%e5%88%b0%e8%99%95%e7%90%86%e5%99%a8%e6%a0%b8%e5%bf%83%ef%bc%9a%e5%b1%95%e7%a4%baepc-gan%e7%9a%84%e5%8d%93%e8%b6%8a%e6%80%a7%e8%83%bd EPC展示了一款涵蓋從800 V到核心電壓的6 kW GaN平台。ISOP級將 800 V轉換為6 V ，接著由單晶片GaN降壓轉換器以5 MHz的切換頻率運作，輸出0.9 V、11 A。 觀看影片 ]]>Wed, 30 Sep 2026 16:25:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3372/%e5%be%9e800-v%e5%88%b0%e8%99%95%e7%90%86%e5%99%a8%e6%a0%b8%e5%bf%83%ef%bc%9a%e5%b1%95%e7%a4%baepc-gan%e7%9a%84%e5%8d%93%e8%b6%8a%e6%80%a7%e8%83%bdhttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3371/%e7%9e%ac%e6%85%8b%e5%bb%ba%e6%a8%a1%e8%88%87%e8%bf%b4%e8%b7%af%e7%a9%a9%e5%ae%9a%e6%80%a7%ef%bc%9a%e7%b8%bd%e6%b8%b8%e9%9b%a2%e5%8a%91%e9%87%8f%e7%92%b0%e5%a2%83%e4%b8%8b%e5%a4%aa%e7%a9%ba%e7%94%a8-egan-hemt-%e4%bd%8e%e5%a3%93%e5%b7%ae%e7%a9%a9%e5%a3%93%e5%99%a8 作者：Diego de Azcuénaga 太空平台電源管理系統的架構要求半導體元件能夠在持續游離輻射通量環境下保持確定性運作。在傳統太空級 LDO 線性穩壓器中，矽 MOSFET 通常作為主要的調整元件。然而，長期暴露於總游離劑量（TID）輻射會在這些元件的閘極介電層中產生電子-電洞對。滯留在氧化層介面的電洞會導致臨界電壓（V th ）發生偏移，並對跨導（g m ...]]>Tue, 29 Sep 2026 17:26:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3371/%e7%9e%ac%e6%85%8b%e5%bb%ba%e6%a8%a1%e8%88%87%e8%bf%b4%e8%b7%af%e7%a9%a9%e5%ae%9a%e6%80%a7%ef%bc%9a%e7%b8%bd%e6%b8%b8%e9%9b%a2%e5%8a%91%e9%87%8f%e7%92%b0%e5%a2%83%e4%b8%8b%e5%a4%aa%e7%a9%ba%e7%94%a8-egan-hemt-%e4%bd%8e%e5%a3%93%e5%b7%ae%e7%a9%a9%e5%a3%93%e5%99%a8https://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3369/%e5%be%9e-1-mw-%e6%a9%9f%e6%9e%b6%e5%88%b0-ai-%e5%b7%a5%e5%bb%a0%ef%bc%9a%e9%87%8d%e6%96%b0%e6%80%9d%e8%80%83%e5%be%9e%e9%9b%bb%e7%b6%b2%e5%88%b0-gpu-%e7%9a%84%e9%9b%bb%e5%8a%9b%e5%82%b3%e8%bc%b8 作者：EPC 市場傳播總監 Maurizio Di Paolo Emilio 人工智慧正在催生新一代資料中心。如今，重點已不再只是將更多運算能力塞進一個機架，而是要在合理的實體空間內，以高效、可靠的方式向單一機架提供數百千瓦，乃至最終達到兆瓦級的功率。 這項轉型的規模正日益顯現。NVIDIA 正在為 AI 基礎設施打造 800 VDC 電源架構，可支援 1 MW ...]]>Thu, 24 Sep 2026 14:27:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3369/%e5%be%9e-1-mw-%e6%a9%9f%e6%9e%b6%e5%88%b0-ai-%e5%b7%a5%e5%bb%a0%ef%bc%9a%e9%87%8d%e6%96%b0%e6%80%9d%e8%80%83%e5%be%9e%e9%9b%bb%e7%b6%b2%e5%88%b0-gpu-%e7%9a%84%e9%9b%bb%e5%8a%9b%e5%82%b3%e8%bc%b8https://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3366/u%e4%bd%8e%e9%9b%bb%e5%a3%93ugan%e9%82%81%e5%90%91%e4%b8%bb%e6%b5%81%ef%bc%9aomdia%e7%9c%8b%e5%a5%bdai%e3%80%81%e7%84%a1%e4%ba%ba%e6%a9%9f%e5%92%8c%e6%a9%9f%e5%99%a8%e4%ba%ba%e6%87%89%e7%94%a8%e6%88%90%e9%95%b7 作者：Maurizio Di Paolo Emilio，EPC市場傳播總監 氮化鎵（GaN）功率技術正進入一個全新的發展階段。在快速充電器、車載電源轉換及其他較高電壓應用領域獲得廣泛採用之後，額定電壓為40 V及以下的GaN元件正在與矽MOSFET展開新一輪競爭。Omdia研究總監Paul Pickering表示， 低電壓 ...]]>Tue, 15 Sep 2026 13:27:00 GMThttps://epc-co.com/epc/tw/關於宜普公司/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3366/u%e4%bd%8e%e9%9b%bb%e5%a3%93ugan%e9%82%81%e5%90%91%e4%b8%bb%e6%b5%81%ef%bc%9aomdia%e7%9c%8b%e5%a5%bdai%e3%80%81%e7%84%a1%e4%ba%ba%e6%a9%9f%e5%92%8c%e6%a9%9f%e5%99%a8%e4%ba%ba%e6%87%89%e7%94%a8%e6%88%90%e9%95%b7