部落格:氮化鎵技術如何擊敗矽技術
Term: SiC
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八月 22, 2022

利用eGaN FET實現具有快速開關、高效率、小型化的350 V半橋模組 EPC 部落格

EPC Guest Blogger,

許多電源系統中使用的基本構建塊是半橋,它由兩個串聯的功率FET及其各自的閘極驅動器組成。雖然離散式FET和閘極驅動器可以在板上實現這個相同的功能,但通常使用半橋模組比較有利和有許多好處,包括使用單個預先通過認證的元件、更短的交付周期和具有更高的性能。有50多年歷史的電源模組供應商Sensitron(sensitron.com)使用了EPC的eGaN FET,使它的新產品更具吸引力。Sensitron與EPC合作使用新型EPC2050 GaN FET開發出350 V半橋模組SPG025N035P1B,這個半橋智慧功率模組專為商業、工業和航空航天應用而設計,額定電流為20 A,可用於控制5 kW以上的功率。如圖1所示,通過從Si和SiC元件升級至採用氮化镓元件,封裝尺寸顯著減小。