uP1966E：用于eGaN® FET的80 V双通道栅极驱动器

特点

  • 0.4 Ω/0.7 Ω下拉/上拉电阻
  • 快速传播延迟（典型值为20 ns）
  • 快速的上升沿和下降沿时间（典型值分别为8 ns和4 ns）。
  • 开启/关闭具有可调输出功能
  • CMOS兼容型输入逻辑（与电源电压无关）
  • 电源输入的欠压锁定
uP1966E: 85 V Dual-Channel Gate Driver for eGaN FETs
晶片尺寸: 1.6 mm x 1.6 mm

应用

  • DC/DC 转换器
  • 隔离型DC/DC转换器
  • 用于AC/DC和DC/DC的同步整流
  • 激光雷达/脉冲电源
  • 负载点转换器
  • D类音频放大器
  • LED照明
产品状况:正在供货
uPI公司授权宜普电源转换公司（EPC）在美洲和欧洲、中东和非洲地区销售uP1966E。有关uP1966E在亚洲的销售，请联系uPI公司。
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半桥器件的范例:
EPC90123		 100 V, 25 A半桥评估板 ¥ 911.96
DC/DC应用的范例:
EPC9153		 实现超过98%效率的250 W降压转换器 ¥ 2460.74

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