与EPC2302配成输出电流可高达65 A的功率级
集成了半桥驱动器、自举电路和
高侧FET
功率级负载电流为1 MHz、输出电流为65 A
最大输入电压为100 V
特点
- 带有内部栅极驱动器的集成式高侧eGaN® FET
- 高侧FET RDS（on）为3.3 mΩ
- 栅极驱动器输出用于驱动外部低侧eGaN FET
- 5 V外部偏置电源
- 独立的高侧和低侧控制输入
- 3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
- 高开关频率，可高达3 MHz
- 稳固的电平转换器可在硬开关和软开关条件下运行
- 对快速开关瞬态的误触发免疫
- 高侧自举电源的同步充电
- 内部高侧偏置电源的欠压锁定
- 采用QFN封装、兼容高侧和低侧器件的芯片组，两个器件之间有优化的引脚布局（请参看EPC2302）。/li>
- Thermally enhanced package with exposed top (Rthjc = 0.4 degC/W) & wettable flank
产品状况:工程产品
在购买器件时，产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态"，不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前，请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。