2024年8月28日星期三 - 2024年8月30日星期五
PCIM Asia 2024
地点： 中国深圳
欢迎莅临PCIM Asia 2024 与EPC 氮化镓专家会面！
我们将在PCIM Asia展览会的11号展厅 、F01展位与您会面，分享关于氮化镓技术、产品和应用的最新发展和知识。请发送电子邮件至[email protected]告诉我们您希望与氮化镓专家会面的时间，齐来讨论您的氮化镓设计！
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2024年9月1日星期日
第26届国际电机会议（ICEM）
地点： 意大利都灵
全体会议：面向新一代电机驱动的氮化镓技术
演讲者：Alex Lidow
氮化镓器件的可靠性和产品寿命预测
演讲者：Alex Lidow
氮化镓元件在许多不同应用中的普及化，需要不断积累氮化镓器件的可靠性统计数据和研究氮化镓器件失效的基本物理原理。本演讲将介绍在各种条件下，利用测试器件至失效的方法来测量和预测氮化镓器件寿命的策略。这些信息可用于为行业创造更强大、更高性能的氮化镓产品。
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2024年9月2日星期一 - 2024年9月6日星期五
ECCE Europe 2024
地点：
氮化镓场效应晶体管模型通过实验多脉冲测试进行验证
扬声器: Vincenzo Barba
在电力电子设计中，验证电子开关的模型是至关重要的。宽禁带技术中最新的晶体管是氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。开发了多种晶体管模型以在转换器设计中使用GaN FET。
更精确的器件等效电路基于Curtice和Angelov模型。本文涉及常关型GaN FET的模型描述和实验验证。通过在LTSpice软件中实现的模型仿真波形与实验波形的重叠比较来实现验证。
使用具有半桥配置的GaN FET的实验板来测试器件，考虑快速和慢速开关性能。实验上进行了多脉冲测试，以测量被测GaN FET的电压和电流波形。探讨并比较了各种电流传感器解决方案，
以在开通和关断瞬态期间感测晶体管电流，例如通过分流电阻、Rogowski线圈和霍尔效应电流探头进行的间接测量。所得结果使转换器设计人员能够使用该模型模拟复杂的功率转换器拓扑结构，
并能够较为确定地认为模拟的GaN FET在静态和开关条件下代表了实际的工作情况。
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2024年9月18日星期三 - 2024年9月19日星期四
PowerUP会议暨博览会
地点： 意大利米兰
这是一次多么漫长且奇怪的旅程
演讲者：Alex Lidow
随着氮化镓器件这种出色的宽频隙半导体逐渐淘汰老化的硅MOSFET，它在多种应用中已经过了其临界点。在本次主题演讲中，我们将回顾从功率MOSFET接管现有双极晶体管的功率转换领域开始所学到的关键发展经验。随着不同应用弃用硅晶体管而转用氮化镓晶体管，我们将分享这两种器件的相似性和差异性。这些经验也奠定了我们未来几年的路线图。
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2024年11月4日星期一 - 2024年11月6日星期三
第11届IEEE宽频隙功率器件和应用研讨会(WiPDA)
地点： 俄亥俄州代顿
欢迎莅临WiPDA 2024与EPC氮化镓专家会面!
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2024年11月6日星期三 09:30 - 09:30
PowerUP Asia 2024
地点： Virtual Event
主题演讲：为何要采用 GaN 来实现无线机器人技术？
演讲者: Alex Lidow
随着我们迈向一个机器人自主导航和操作的未来，氮化镓（GaN）作为一种变革性技术出现，为控制无缆机器人各个关节的电机驱动系统提供了出色的优势，从手指到髋关节再到脚踝，不论功率和大小。通过利用GaN的优异特性，如高开关频率、低开关损耗、卓越的热性能和小尺寸，机器人电机驱动系统可以实现更高的效率、改进的精度以及减小的体积和重量。在本次主题演讲中，我们将详细解析类人机器人各个物理部件，并展示为什么GaN是这些专用电机驱动的理想功率器件。
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2024年11月12日星期二 - 2024年11月14日星期四
2024年Electronica电子展
地点： 德国慕尼黑
2024 年Electronica电子展见！
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