超高频氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）

快速开关正在加速

使得功率及射频晶体管的分界线变得模糊

功率系统及射频设计工程师现在可以利用高性能并于低GHz频率范围开关的氮化镓（GaN）功率晶体管实现硅功率器件所不能推动的创新设计。

这些器件为功率晶体管的应用开拓全新领域，由于其开关转换速度在亚纳秒范围之内，因此器件可适用于在10 MHz以上频率工作的硬开关应用。器件被设计为可在10 MHz以上频率工作，由于它们在低GHz频率范围也具备非常好的小信号射频性能并具高增益的优势，因此它们是射频应用的理想器件。

受惠于紧凑型、低功率及高频EPC8000氮化镓晶体管系列的应用范例包括在数MHz频率范围工作的硬开关功率转换器、射频功率放大器的包络跟踪应用及替移动设备充电的高度谐振无线电源传送系统等应用。