EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率，以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时，与分立式解决方案相比，晶体管的占板面积减少50%。
宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管（EPC2101）。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。
在EPC2101 半桥式元件内，每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻（RDS(on)）典型值是8.4 mΩ，下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是2 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一，使得具有高VIN/VOUT比值的降压转换器可实现最佳直流-直流转换效率。EPC2101使用芯片封装方式以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
开发板
EPC9037是一块2英寸x1.5英寸的开发板，包含一个EPC2101集成半桥式元件，使用德州仪器公司的栅极驱动器（LM5113）、电源及旁路电容。电路板的布局可实现最佳开关性能并设有多个探孔，使用户容易测量简单波形及计算效率。
价格及供货详情
购买1000件EPC2101单片半桥式元件的单价为$6.92美元。开发板的单价为$137.75美元。以上的产品已经有现货供应，可透过Digikey公司（http://www.digikey.cn/Suppliers/cn/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zhs或北高智科技有限公司（www.honestar.com）购买。
关于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的设计信息及支持
宜普电源转换公司简介
宜普公司（www.epc-co.com.cn）是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管 直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术（LiDAR） 及 D类音频放大器 等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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