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小型化的低压 GaN FET的准确表征
Posted 2023年7月25日
低压 GaN FET 可实现更小、冷却要求最小化和效率更高的解决方案
与采用传统的硅基功率 MOSFET的应用相比，低压 GaN FET（即 100 V）可实现更小，冷却要求最小化和效率更高的解决方案。 本文讨论了氮化镓器件如何应对动态性能需要重复且可靠的表征的挑战。 定制氮化镓夹具和测试板的机械和电气设计仔细、周全，就可以克服其中许多挑战，使您能够在设计功率转换器时，自信地使用这些新型宽能隙器件。
Power Electronics News
2023年7月
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