EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率，以及在25 A时效率可高于90.5%。
宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率（尤其是在更高频率时）及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。
在EPC2100半桥元件内每一个器件的额定电压是30 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻（RDS(on)）典型值是6 mΩ，下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是1.5 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一，具高VIN/VOUT比，在降压转换器可取得最优直流-直流转换效率。EPC2100使用晶片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米，功率密度更高。
宜普电源转换公司创始人兼首席执行官称「现在设计师可利用氮化镓技术所带来的第一个范例 - 单片式eGaN 半桥器件系列，可节省空间、提高效率及降低系统成本。当功率转换系统延伸至数MHz的领域，集成多个分立器件变得更为重要以实现高系统效率及高功率密度。」
开发板
EPC9036开发板 的尺寸为2英寸 乘 2英寸，包含一个EPC2100集成半桥元件，采用德州仪器的栅极驱动器（LM5113）、电源及旁路电容。电路板的版图设计可实现最优开关性能并设有多个探孔使得用户可易于测量简单的波形及计算效率。
价格及供货
EPC2100单片式半桥元件的价格在一千批量时的单价为$5.81美元。
EPC9036开发板的单价为$137.75美元。
以上产品已经可以供货，可透过Digikey公司购买，网址为http://www.digikey.cn/Suppliers/cn/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zhs
关于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的设计信息及支持
宜普电源转换公司简介
宜普公司（www.epc-co.com.cn）是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管 直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术（LiDAR） 及 D类音频放大器 等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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