双路增强型120 V、60 mΩ氮化镓集成电路（EPC2110）可实现超高频开关，从而推动采用E类放大器拓扑的无线电源传送应用实现优越性能。
宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。
EPC2110是一种具有120 VDS、20 A的双路共源极器件，它采用非常纤薄的封装（1.35 mm x 1.35 mm），于栅极施加5 V电压时的最高RDS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低RDS(on)、异常低的QG及采用非常纤薄的封装，因此这种氮化镓IC可以实现高性能。
与最先进、具相同的导通电阻的功率MOSFET相比，EPC2110细小很多， 而且它的开关性能比MOSFET高出很多倍。受惠于这种高性能eGaN® IC的应用包括超高频DC/DC转换、同步整流、D类音频放大器及尤其是无线电源传送应用。
EPC2110在批量为一千片时的单价为1.06美元,可立即透过 Digikey公司购买。
关于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的设计信息及支持
宜普电源转换公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、功率逆变器、 光学遥感技术（LiDAR） 及 D类音频放大器 等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。详情请浏览我们的网站，网址为www.epc-co.com.cn 。
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eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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