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面向快速发展的关键应用的GaN HEMT，它的性能优于MOSFET
Posted 2020年8月26日
硅功率MOSFET未能跟上电力电子行业的发展变化，而效率、功率密度和更小的外形尺寸等因素是行业的主要需求。 硅MOSFET器件的性能已达到其理论极限，并且由于电路板的空间非常宝贵，因此功率系统设计人员必需找出替代方案。 氮化镓（GaN）器件是一种高电子迁移率晶体管（HEMT），这种半导体正为新兴应用不断增值。
EETimes
2020年8月
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