根据将氮化镓和碳化硅材料的电子从价带转移到导带所需的能量，氮化镓和碳化硅器件被指定为宽带隙 (WBG) 半导体——碳化硅器件约为 3.2 eV，氮化镓器件则约为 3.4 eV，而硅器件只有1.1 eV 。WBG 的击穿电压更高，在某些应用中可以达到 1,700 V。 在今年 5 月举行的线上PCIM Europe展会上，几家公司展示了他们在 氮化镓和碳化硅技术方面的最新创新，并就 WBG 技术的发展方向分享了其独特见解。

EE Times – Europe
2021 年 7 月
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