1/3/2012

德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师，经过编辑评审过千于2011年发布的产品，选出于以下各方面表现优胜的产品：创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。

德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。

“我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案，加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势，帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说。

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx

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