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EPC宜普电源转换公司推出商用高铅含量的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)

宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐,其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。

宜普公司(www.epc-co.com.cn)推出带高铅含量焊锡端子的器件,非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%,而锡含量为5%。

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无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。

杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

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EPC Addresses Global GaN Power Management Product Demand; Leverages Digi-Key for Global Distribution

Global electronic components distributor Digi-Key Corporation, the industry leader in electronic component selection, availability and delivery, today announced new inventory of Gallium Nitride (GaN) power management products, available for immediate shipment as part of an exclusive global distribution agreement with Efficient Power Conversion (EPC) http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.html

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