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Gallium nitride based devices set to bring substantial boost to power efficiency

Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors.

But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet.

By: Graham Pitcher
New Electronics
December 13, 2011
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宜普电源转换公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的降压电源转换演示板

EPC9101演示板使用具高频开关优势的eGaN功率晶体管,可减小降压电源转换器尺寸和提高效率

EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路,实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器,使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET,并配合德州仪器公司最近推出的国半100V半桥栅极驱动器(LM5113)。LM5113是业界首款专为增强型氮化镓场效应晶体管而设计的驱动器。EPC9101演示高开关频率eGaN FET与这个匹配的驱动器,可减小降压电源转换器尺寸和提高性能。

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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,专为使用增强型氮化镓(eGaN)FET的系统而设

EPC9006开发板可帮助设计工程师快速开发基于100V EPC2007的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9006开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普100V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代100V及30mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN) 场效应晶体管产品系列范围

EPC2007采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2007。EPC2007具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。

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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,专为使用增强型氮化镓(eGaN)FET的系统而设

EPC9005开发板可帮助设计工程师快速开发基于40V EPC2014的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

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GaN and SiC: on track for speed and efficiency

Wide-bandgap materials, such as GaN and SiC, are enabling a new generation of power switching devices that switch faster and with fewer losses than the venerable silicon MOSFET, resulting in smaller, more efficient power supplies.

By Margery Conner
EDN
August 25, 2011

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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN) 场效应晶体管产品系列范围

2011年8月23日星期二

宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。

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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代200V及100mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN) 场效应晶体管产品系列领域

EPC2012采用符合RoHS(有害物质限制)条例的无铅封装,以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件,RDS(ON)最大值是100mΩ,栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强,而且由于提高了QGD/QGS比率,EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。

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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,帮助使用增强型氮化镓(eGaN)FET 用户快速开发电源转换电路和系统

EPC9004开发板可帮助设计工程师快速开发基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品,其应用范围广泛,如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。

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专用驱动器可发挥出增强型GaN FET的最佳性能 2011年6月28日13:38 发布

众所周知,宜普电源转换公司(EPC)推出商用化增强型硅基氮化镓场效应晶体管(宜普称之为eGaN FET)产品已经超过一年多时间了。目前宜普公司正在与合作伙伴一起实现eGaN FET的专用驱动器,使其可以工作在更高电压、更低栅极电荷条件下,仍具更低的RDS(ON),以及没有反向恢复损耗(QRR)——所有这些特性都在比硅产品更小的裸片面积上实现。相比硅MOSFET,eGaN FET实际上可以显著提升品质因数(FOM)。

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

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National Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) eliminates these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.

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宜普电源转换公司(EPC)领先业界eGaN产品获得《电子工程专辑》颁发年度电子创新(ACE)奖项-能源技术大奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布其硅基增强型氮化镓(eGaN®)功率FET系列器件获得声望很高的《电子工程专辑》颁发年度电子创新(ACE)奖项的能源技术大奖。ACE奖项旨在表彰在全球产业中展现领先和创新精神并使我们生活更加美好的技术创造者。

“我们非常荣幸能够获得ACE奖项。这个奖项证明宜普的增强型GaN功率晶体管为电源转换技术领域带来重大突破。我们相信硅基MOSFET的表现已经走到了尽头,eGaN技术将引领电源管理解决方案的表现持续改进。” 宜普公司合伙创始人、首席执行官Alex Lidow表示。

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Microsemi announces partnership with EPC

Microsemi公司正在与宜普电源转换公司(www.epc-co.com)合作开发一系列用于高可靠性宇航与军事应用中的高性能FET产品。两家公司在2011年3月21至24日于佛罗里达州奥兰多市举行的政府微电路应用与关键技术会议(GOMAC)上发表了题为“在长期应力下的增强型氮化镓产品特性”的联合研究论文。这份研究报告提供了可靠性测试结果,并展示了在高温和暴露在辐射环境下器件的稳定性能。

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Alex Lidow, CEO, interviewed in ECN's Tinker’s Toolbox

Alex Lidow is interviewed by ECN's Editorial Director, Alix Paultre, on the Tinker's Toolbox, ECN's audio interview website.  The interview explores the attributes of GaN technology, applications opened as a result of GaN's superior performance to MOSFETs and reasons for the take-up of eGaN FET products over the past year.

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宜普电源转换公司(EPC)发布两款业界领先的无铅且符合RoHS要求的 eGaN FET

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。

EPC2001 FET是一种100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件,RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比,这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻,体积比相同电阻的硅器件更小,并且具有卓越许多倍的开关性能。

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