全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管（EPC2029）进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具备大电流承载能力。

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