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EPC推出基于氮化镓器件的12 V/48 V、500 W 升压转换器演示板, BOM尺寸与硅器件相同,可实现高效率和高功率密度

EPC推出基于氮化镓器件的12 V/48 V、500 W 升压转换器演示板, BOM尺寸与硅器件相同,可实现高效率和高功率密度

瑞萨电子(Renesas)的两相同步GaN升压控制器与宜普电源转换公司(EPC)的超高效eGaN® FET相结合,实现了高功率密度和低成本的DC/DC转换。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出12 V输入、48 V输出、500 W的DC/DC演示板(EPC9166)。该演示板展示出瑞萨电子ISL81807 80 V两相同步升压控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET,在开关频率为500 kHz的12 V输入到48 V稳压输出转换中,效率超过96.5%。输出电压可配置为36 V、48 V和60 V。该板在没有散热器的情况下,可提供480 W的功率。

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EPC推出由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的 1.5 kW 48 V/12 V DC/DC演示板,为轻度混合动力汽车和电池备用装置提供更高效、更小、更快的双向转换器

EPC推出由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的 1.5 kW 48 V/12 V DC/DC演示板,为轻度混合动力汽车和电池备用装置提供更高效、更小、更快的双向转换器

EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用于轻度混合动力汽车和电池电源备用装置。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9137,这是一款1.5 kW的两相48 V/12 V双向转换器,占板面积小,效率为97%。该演示板的设计是可扩展的–并联两个转换器可实现3 kW,或者并联3个转换器可实现4.5 kW。该板使用4个100 V的eGaN®FET(EPC2206),并由一个包括Microchip dsPIC33CK256MP503 16位数字控制器的模块控制。

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Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs

The Power and Evolution of GaN – Part 2 of 6 part series

Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs

With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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面向48 V转到1-2 V/10 A的应用,采用基于氮化镓器件的 VRM混合式转换器可实现 95%效率

面向48 V转到1-2 V/10 A的应用,采用基于氮化镓器件的 VRM混合式转换器可实现 95%效率

在48 V总线架构出现后,我们可采用全新、基于氮化镓(GaN)晶体管的混合式转换器,以实现超过95%峰值效率及225 W/in3 功率密度。对于节能的数据中心来说,轻负载效率非常重要。基于氮化镓晶体管的转换器在转换至20%负载时,可保持高于90%的效率。

PowerPulse
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