EPC公司为氮化镓技术带来增强型器件、颠覆整个功率转换市场和推动全新应用的出现。与老化的硅基MOSFET相比，小型化的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)具有更高的开关速度。优化后的栅极驱动器集成电路及控制器帮助设计师发挥这种全新的、改变游戏规则的技术。关于对栅极驱动器的要求的详细讨论内容，请访问eGaN FET驱动器及布局的考虑因素。
当制造商陆续推出全新优化了的驱动器集成电路，由硅基技术改为采用氮化镓（eGaN）技术将变得更加简单及成本可以更低。
以下是目前与eGaN FET兼容的集成电路列表：