eGaN驱动器及控制器

EPC公司为氮化镓技术带来增强型器件、颠覆整个功率转换市场和推动全新应用的出现。与老化的硅基MOSFET相比,小型化的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)具有更高的开关速度。优化后的栅极驱动器集成电路及控制器帮助设计师发挥这种全新的、改变游戏规则的技术。关于对栅极驱动器的要求的详细讨论内容,请访问eGaN FET驱动器及布局的考虑因素

当制造商陆续推出全新优化了的驱动器集成电路,由硅基技术改为采用氮化镓(eGaN)技术将变得更加简单及成本可以更低。

以下是目前与eGaN FET兼容的集成电路列表:

GaN Drivers and Controllers
 
器件型号功能制造商描述
Si827xGB-IM隔离式栅极驱动器Silicon Labs4 Amp ISO驱动器。针对各种氮化镓应用,低UVLO配以后缀/词尾“GB”,
而5 x 5毫米LGA封装配以后缀/词尾"IM"。
PE29102栅极驱动器 PeregrineHigh-speed FET Driver, 40 MHz
LMG5200功率级Texas Instruments80 V氮化镓半桥功率级
LMG1205栅极驱动器 Texas Instruments1.2 A, 5 A, 100 V eGaN FET半桥驱动器
TPS53632G控制器 Texas Instruments适用于48 V GaN DC/DC转换器的半桥D-CAP+控制器
NCP4305控制器On Semiconductor二次侧同步整流的控制器
UCC27611栅极驱动器Texas Instruments4 A/6 A高速5 V、优化的单栅极驱动器
LM5114栅极驱动器Texas Instruments 单个7.6 A峰值电流低侧栅极驱动器
LM5113栅极驱动器Texas Instruments5 A、100 V eGaN FET半桥驱动器