包络跟踪

包络跟踪

Envelope Tracking Applications

包络跟踪是一种电源技术,可改善射频功率放大器的能效,因为它可以追踪所需功率,有别于目前的固定功率系统。

由于氮化镓功率晶体管的开关速度就在纳秒范围边缘,它被视为推动包络跟踪转换器及具宽频宽射频功率放大器设计的技术,它具备超快速开关性能,可推动应用于包络跟踪的高频多相降压转换器。

应用摘要 - 于包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)

面向包络跟踪应用的eGaN FET

面向包络跟踪设计的推荐器件

器件型号 配置 VDS RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 5 V) 最大值
QG
(nC)
典型值
QGS
(nC)
典型值
QGD
(nC)
典型值
QOSS
(nC)
典型值
最大脉冲峰值电流 ID(A)
(25°C、 Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半桥式开发板
EPC2015C 单路 40 4 8.7 2.7 1.2 19 235 LGA 4.1 x 1.6 EPC9201
EPC2014C 单路 40 16 2 0.70 0.30 4 60 LGA 1.7 x 1.1 EPC9005C
EPC8009 单路 65 130 0.37 0.120 0.055 0.94 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9067
EPC8002 单路 65 480 0.133 0.057 0.015 0.334 2 LGA 2.1 x 0.85 EPC9022
EPC8010 单路 100 160 0.36 0.130 0.060 2.2 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9068

立即购买