与传统硅基晶体管相比，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具有多项基本优势。GaN HEMT具有非常高的电子迁移率，无论是在开关速度、耐高温和功率处理能力方面都表现卓越。这些独特的属性可提高效率、显着缩小尺寸、降低重量、提高成本效益和增强热性能。
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我们的 GaN HEMT晶体管具有出色的动态导通电阻和最小电容，专为需要高速开关的应用而设计。EPC的HEMT器件具有更短的死区时间以实现更高的效率。您可体验我们的HEMT晶体管的可靠性，它在实验室和大批量客户应用测试中展示出具有高稳健性。eGaN器件拥有卓越的现场可靠性测试记录。