Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

氮化镓(GaN)场效应晶体管驱动器和控制器

于基于硅器件的系统相比,基于eGaN® FET的功率转换系统具备更高的效率、更高的功率密度及其总系统成本可以更低。这些优势刺激了支持基于氮化镓设计的电力电子元件生态系统的增长,包括可以提升氮化镓场效应晶体管性能的栅极驱动器、控制器及无源元件的发展。

半导体供应商例如uPI半导体TIMicrochip继续推出驱动器及控制器,从而支持对基于氮化镓器件设计与日俱增的需求。

以下是目前与eGaN FET兼容的集成电路列表:

本视频介绍应用于高性能功率转换的氮化镓晶体管的基础设计技术。

面向降压和升压转换器、与氮化镓器件兼容的控制器

器件型号 制造商 功能 Input 描述 频率
MIC2128MicrochipBuck4.5 - 75 V具有自适应导通时间控制架构和外部软启动功能的 75V 同步降压控制器270 kHz - 800 kHz
LTC7890Analog DevicesBuck5 - 100 VDual, made-for-GaN100 kHz - 3 MHz
LTC7891Analog DevicesBuck5 - 100 VSingle, made-for-GaN100 kHz - 3 MHz
ISL81806RenesasBuck5 - 80 VDual or 2-Phase, made-for-GaN100 kHz - 2 MHz
ISL81807RenesasBoost5 - 80 VDual or 2-Phase, made-for-GaN100 kHz – 2 MHz
MIC2132 MicrochipBuck5 - 75 V 2-phase, ultrafast transient response, stackable to 8 phases 100 kHz – 1 MHz
RT6190RichtekBuck/Boost5 - 36 V4-FET, Bidirectional Buck-Boost, I2C Interface250 kHz - 1 MHz
LT8390AAnalog DevicesBuck/Boost5 - 60 V4-FET, Buck/Boost600 kHz - 2 MHz
LM5141Texas InstrumentsBuck5 - 65 VSingle440 kHz - 2.2 MHz
LM5140-Q1 Texas InstrumentsBuck5 - 65 V Dual 440 kHz - 2.2 MHz
dsPIC33CK32MP102MicrochipBuck or Boost(external driver)100 MHz Single-Core 16-bit DSCUp to 100 MHz (core)
NCP8111On SemiBuck(external driver)3 Phase, VR12.5-6, Digital Controller, SVID and I2C Interfaces250 kHz − 5 MHz
LTC7800Analog DevicesBuck5 - 60 VSingle, Low IQ. GaN320 kHz - 2.25 MHz
MIC2103/4 MicrochipBuck5 - 75 V Adaptive On-Time Control 200 kHz - 600 kHz
ISL8117ARenesasBuck5 - 60 VSingle100 kHz - 2 MHz
TPS40400 Texas InstrumentsBuck5 - 20 V 30 A, PMBus 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G Texas InstrumentsHalf-Bridge(external driver) Half-Bridge, D-CAP+ Controller, optimized for 48-V GaN DC/DC, I2C 300 kHz - 1 MHz

与同步整流器兼容的控制器

器件型号 制造商 描述 包含栅极驱动器
UCD7138 Texas Instruments 同步整流器控制器 Yes
TEA1993TS NXP 同步整流器控制器 Yes
TEA1995T NXP 双路的同步整流器控制器 是(双路)
TEA1998TS NXP 同步整流器控制器 Yes

Low-Side Gate Drivers

器件型号 制造商 描述 应用范例
1EDB7275F Infineon Isolated, single, 5A/9A source/sink, 3 kV ---
UCC27611 Texas Instruments 4 A/6 A高速5 V、优化的单栅极驱动器 EPC9081
LMG1020Texas Instruments速度为60 MHz/1ns的5 V、7 A/5 A低侧氮化镓驱动器EPC9144
uP1964uPI Semiconductor增强型氮化镓场效应晶体管的单通道栅极驱动器---
IXD_604IXYS4安培双路低侧超快速驱动器---
LMG1025-Q1Texas Instruments在低于5 V时锁定的车规级7A/5A、单通道、低侧栅极驱动器,适用于窄脉冲应用---
ADuM4120ARIZ Analog Devices 2 A输出的隔离型单通道驱动器 ---
ADuM4121ARIZ Analog Devices 2 A隔离型单通道驱动器 ---

Half-Bridge Gate Drivers

器件型号 制造商 描述 应用范例
LT8418 Analog Devices 集成了智能自举开关、可驱动100 V氮化镓半桥器件的驱动器 EVAL-LT8418-BZ
1EDN71x6U Infineon 200 V, chip set, 4 gate drive current versions ---
2EDB7259Y Infineon Isolated, dual, 5A/9A source/sink, 3 kV ---
2EDR7259X Infineon Isolated, dual, 5A/9A source/sink, 5.7 kV ---
NCP51810 安森美半导体 支持氮化镓功率开关器件的150 V半桥栅极驱动器 与EPC联系
NCP51820 安森美半导体 -3.5 至+650 V、可调死区时间、双LDO 与EPC联系
LM5113-Q1Texas Instruments5 A、100 V eGaN FET半桥驱动器EPC9078
LMG1205Texas Instruments1.2 A, 5 A, 100 V eGaN FET半桥驱动器EPC9078
uP1966E uPI Semiconductor 80 V 驱动eGaN FET的双通道栅极驱动器 EPC9078
LMG1210Texas Instruments200 V、1.5 A/3 A、可调死区时间的半桥氮化镓驱动器与EPC联系
Si827xGB-IMSkyworks隔离式、车用、高达2.5 kV隔离电压、4 A
可编程死区时间。 使用“ GB”和“ IM”后缀
EPC9084
ADuM4221A Analog Devices 具备可调死区时间和4 A 输出电压的隔离式半桥驱动器 ---
MPQ1918-AEC1 MPS 100 V、1.6 A、5 A的氮化镓半桥驱动器通过AEC-Q100认证 与EPC联系
MP8699B MPS 支持氮化镓功率开关器件的100 V半桥栅极驱动器 与EPC联系
STDRIVEG600 ST 600 V半桥器件,允许低侧检测电阻的失调电压漂移 EPC9167

ICs for High Reliability Applications

器件型号 制造商 描述 作用
FBS-GAM01P-C-PSEEPC Space氮化镓(eGaN)栅极驱动器模块为单输出栅极驱动器
FBS-GAM02P-C-PSEEPC Space50 V、耐辐射、高速兼多功能的氮化镓(eGaN) HEMT驱动器HEMT驱动器
FBS-GAM02-P-R50EPC Space50 V/10 A、耐辐射的多功能功率模块Power Stage
ISL70040SEHRenesas耐辐射的低侧GaN FET驱动器栅极驱动器
TPS7H6003-SPTexas Instruments耐辐射、QMLV 200V 半桥 GaN 栅极驱动器栅极驱动器