于基于硅器件的系统相比，基于eGaN® FET的功率转换系统具备更高的效率、更高的功率密度及其总系统成本可以更低。这些优势刺激了支持基于氮化镓设计的电力电子元件生态系统的增长，包括可以提升氮化镓场效应晶体管性能的栅极驱动器、控制器及无源元件的发展。
半导体供应商例如uPI半导体、TI及Microchip继续推出驱动器及控制器，从而支持对基于氮化镓器件设计与日俱增的需求。
以下是目前与eGaN FET兼容的集成电路列表：
如何使用氮化镓器件视频04–设计基础:栅极驱动器 本视频介绍应用于高性能功率转换的氮化镓晶体管的基础设计技术。氮化镓晶体管跟功率MOSFET的操作相似，但具备更快速的开关速度及更高的功率密度。我们会分享如何驱动氮化镓晶体管，从而实现器件的最高性能。