uP1966E:用于eGaN® FET的80 V双通道栅极驱动器

特点

  • 0.4 Ω/0.7 Ω下拉/上拉电阻
  • 快速传播延迟(典型值为20 ns)
  • 快速的上升沿和下降沿时间(典型值分别为8 ns和4 ns)。
  • 开启/关闭具有可调输出功能
  • CMOS兼容型输入逻辑(与电源电压无关)
  • 电源输入的欠压锁定
uP1966E: 85 V Dual-Channel Gate Driver for eGaN FETs
晶片尺寸: 1.6 mm x 1.6 mm

应用

  • DC/DC 转换器
  • 隔离型DC/DC转换器
  • 用于AC/DC和DC/DC的同步整流
  • 激光雷达/脉冲电源
  • 负载点转换器
  • D类音频放大器
  • LED照明
产品状况:正在供货
uPI公司授权宜普电源转换公司(EPC)在美洲和欧洲、中东和非洲地区销售uP1966E。有关uP1966E在亚洲的销售,请联系uPI公司
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