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uP1966E:用于eGaN
®
FET的80 V双通道栅极驱动器
特点
0.4 Ω/0.7 Ω下拉/上拉电阻
快速传播延迟(典型值为20 ns)
快速的上升沿和下降沿时间(典型值分别为8 ns和4 ns)。
开启/关闭具有可调输出功能
CMOS兼容型输入逻辑(与电源电压无关)
电源输入的欠压锁定
晶片尺寸: 1.6 mm x 1.6 mm
应用
DC/DC 转换器
隔离型DC/DC转换器
用于AC/DC和DC/DC的同步整流
激光雷达/脉冲电源
负载点转换器
D类音频放大器
LED照明
产品状况:
正在供货
uPI公司授权宜普电源转换公司(EPC)在美洲和欧洲、中东和非洲地区销售uP1966E。有关uP1966E在亚洲的销售,
请联系uPI公司
。
立即购买
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eGaN FET及集成电路
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挑选适合您的设计的低成本评估板,开展您的创新旅程:
半桥器件的范例:
EPC90123
100 V, 25 A半桥评估板
¥ 911.96
DC/DC应用的范例:
EPC9153
实现超过98%效率的250 W降压转换器
¥ 2460.74
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速查指南 - 把eGaN FET焊接在电路板上的步骤
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout
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