EPC90150:200 V、20 A 氮化镓基半桥开发板

EPC90150:采用EPC2307器件、200 V、20 A 的半桥开发板

EPC90150开发板

EPC90150 是一个带有板载门驱动的半桥开发板,配备了200V 额定值的 EPC2307 eGaN® FET。该开发板的目的是通过将所有关键组件集成在一个可以轻松连接到大多数现有转换器拓扑的单板上,简化 EPC2307 的评估过程。

EPC90150 开发板尺寸为2” x 2”,包含两个 EPC2307 GaN FETs 以半桥配置与 On-Semi NCP51820 门驱动器配合。该板还包含所有关键组件,布局支持最佳的开关性能。还有各种探测点,以便于简单的波形测量和效率计算。

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