EPC9022:开发板
快速变得更快

VDS(最大值), 65 V
ID(RMS最大值), 1.6 A
半桥并配有驱动器

EPC Development Board

该开发板采用半桥拓扑结构,板载栅极驱动,具有EPC8000系列高频增强型(eGaN®)场效应晶体管(FET)。

这些开发板的目的是通过将所有关键组件集成到一个易于连接到任何现有转换器的单板上,简化EPC8000系列eGaN FET的评估过程。

产品状况:停产产品
组装好的参考设计是非卖品,仅用作测试和验证性能。
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