该开发板采用半桥拓扑结构,板载栅极驱动,具有EPC8000系列高频增强型(eGaN®)场效应晶体管(FET)。
这些开发板的目的是通过将所有关键组件集成到一个易于连接到任何现有转换器的单板上,简化EPC8000系列eGaN FET的评估过程。
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