EPC9098:170 V、17 A半桥开发板
EPC9098半桥开发板的最高电压为170 V,最大输出电流为17 A,采用板载栅极驱动器及增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(EPC2059)。
The EPC9098 development board is 2” x 2” and contains two EPC2059 eGaN FETs in a half bridge configuration with the
Texas Instruments LMG1210 gate driver.
为了简化对EPC2059GaN FET进行评估的过程,所有关键元件都放置在一块板上,从而易于与任何现有的转换器连接。
关于“如何将EPC开发板构建成原型”的视频,请点击这里。