EPC2053: 100 V、246 A增强型功率晶体管

VDS, 100 V
RDS(on), 3.8 mΩ
ID, 48 A
脉冲 ID, 246 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2053 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.5 mm x 2 mm

应用

  • 48 V Servers
  • LiDAR/Pulsed Power
  • Isolated Power Supplies
  • Point of Load Converters
  • Class D Audio
  • LED Lighting
  • Low Inductance Motor Drive

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:投产
立即购买
购买 eGaN FET及集成电路


Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教