集成氮化镓功率器件 –
提高效率及功率密度

集成氮化镓功率器件 – 提高效率及功率密度
EPC9036: 12 V 转1.2 V开发板 在25 A、500 kHz频率可实现90% 系统效率

已作商业用途的增强型单片式并采用半桥拓扑的氮化镓晶体管在效率方面进一步抛离传统的硅器件。单片式半桥器件可节省板面面积、改善效率及降低系统成本。

  • 提高效率
    单片式并使用半桥拓扑的器件去除互连电感，从而实现更高效率，尤其是器件工作在高频条件下
  • 节省板面面积
    单片式器件可节省印刷电路板上功率级所占的面积达60%
  • 简化采用氮化镓器件
    单片式器件提高制造效率而同时降低组装成本

Monolithic GaN Schematic

数据表

Asymmetrical Half-Bridge Devices for High Step-Down Applications

器件型号 电压 RDS(on)最大值 (mΩ) (VGS = 5 V) Max. Peak Pulsed ID (A)
(25°C, Tpulse = 300 µs)		 开发板
    Q1 Control
FET		 Q2 Sync
FET		 Q1 Control
FET 		Q2 Sync
FET		  
EPC2111 30 19 8 50 140 N/A
EPC2100 30 8.2 2.1 100 400 EPC9036
EPC2101 60 11.5 2.8 80 350 EPC9037
EPC2105 80 14.5 3.6 70 300 EPC9041

Symmetrical Half-Bridge Devices for 50% Duty Cycle or Low Step-Down Applications

器件型号 电压 RDS(on)最大值 (mΩ) (VGS = 5 V) Max. Peak Pulsed ID (A)
(25°C, Tpulse = 300 µs)		 开发板
EPC2102 60 4.9 220 EPC9038
EPC2103 80 5.5 195 EPC9039
EPC2104 100 6.8 180 EPC9040

应用笔记

集成氮化镓功率器件可实现更高直流-直流效率及功率密度

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