氮化镓（eGaN®）功率晶体管继续在电源转换性能方面提高业界基准。第四代氮化镓器件的电压范围为30 V至200 V，在性能上远远抛离日益陈旧的功率MOSFET器件。新一代器件具有更低导通电阻、更低电容、更大电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
- 更低导通电阻(RDS(on))
由于全新氮化镓场效应晶体管系列可降低一半导通电阻，因此可支持大电流、高功率密度的应用。
- 进一步改善品质因数（FOM）
与前代器件相比，由于新一代氮化镓场效应晶体管把硬开关FOM降低一半，因此在高频功率转换应用可进一步提高开关性能。
- 扩展电压范围
由于可受惠于采用氮化镓场效应晶体管的应用扩展至30 V的应用，因此可推动更多应用包括更高功率的直流-直流转换器、负载点转换器、支持隔离型电源供电的同步整流器、电脑及伺服器。