EPC2091：用于高效能电源转换的 100 V，2 mΩ GaN FET

VDS, 100 V
最大值 RDS(on), 2 mΩ
ID, 126 A
脉冲 ID, 350 A

EPC2091 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.23 mm x 2.88 mm
铜柱

应用

  • 用于封装集成的铜柱
  • DC/DC功率转换
  • 激光雷达
  • 同步整流器
  • 负载点（POL）转换器
  • USB-C
  • D类音频放大器
  • LED照明
  • 电动出行

优势

  • 超高效率
  • 没有反向恢复
  • 超低QG
  • 尺寸更小型化
产品状况:推荐
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