EPC2092：紧凑型 100 V，3.2 mΩ GaN FET，用于高效能电源转换

VDS, 100 V
最大值 RDS(on), 3.2 mΩ
ID, 69 A
脉冲 ID, 218 A

EPC2092 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.73 mm x 1.45 mm
铜柱

应用

  • 用于封装集成的铜柱
  • DC/DC功率转换
  • 激光雷达
  • 同步整流器
  • 负载点（POL）转换器
  • USB-C
  • D类音频放大器
  • LED照明
  • 电动出行

优势

  • 超高效率
  • 没有反向恢复
  • 超低QG
  • 尺寸更小型化
产品状况:推荐
寻找授权经销商
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗？
向GaN技术专家请教

数据表

评估板

品质及可靠性

设计资源

应用笔记

器件模型

设计工具